江西兆驰半导体申请 AlGaInP 基外延片相(xiang)关专利，进步电子横向(xiang)扩展(zhan)率,包括,谐振(zhen)
金融界 2024 年 12 月 5 日消息，国家学问产权局(ju)信息显示，江西兆驰半导体有(you)限(xian)公司申请一(yi)项名为(wei)“一(yi)种 AlGaInP 基外延片、制备方法及 LED”的专利，公然号 CN 119069596 A，申请日期为(wei) 2024 年 11 月。
专利摘(zhai)要显示，本发明提供(gong)一(yi)种 AlGaInP 基外延片、制备方法及 LED，该外延片由下至上依次包括衬底、中间层(ceng)、N 型(xing)半导体层(ceng)、有(you)源层(ceng)和 P 型(xing)半导体层(ceng)，所述 N 型(xing)半导体层(ceng)包括靠近所述有(you)源层(ceng)设置的谐振(zhen)势(shi)阱层(ceng)，所述谐振(zhen)势(shi)阱层(ceng)包括势(shi)阱子层(ceng)和设于所述势(shi)阱子层(ceng)两端的势(shi)垒子层(ceng)，所述势(shi)垒子层(ceng)为(wei)非搀(chan)杂的 AlGaInP 子层(ceng)，所述势(shi)阱子层(ceng)包括由下至上呈周期瓜代设置的(Al x Ga 1 - x) 0.5In 0.5P 第一(yi)子层(ceng)和(AlYGa1-Y)0.5In0.5P 第二子层(ceng)，所述(AlxGa1-x)0.5In0.5P 第一(yi)子层(ceng)的禁带(dai)宽度由下至上逐渐下降(jiang)，所述(AlYGa1-Y)0.5In0.5P 第二子层(ceng)的势(shi)垒高于(AlxGa1-x)0.5In0.5P 第一(yi)子层(ceng)的势(shi)垒，本发明可以使多阱之间发生谐振(zhen)景(jing)象(xiang)，捕捉更多电子，进步电子横向(xiang)扩展(zhan)率，并降(jiang)低电子移动速度，降(jiang)低外延片被击穿的风险(xian)。
来源：金融界